公司新聞

LED芯片制造設備及其工藝介紹

:2017-12-12 :333
 一⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、上游外延片生長設備國產化現狀

LED產業鏈通常定義為上游外延片生長❣❦❧♡۵、中游芯片制造和下游芯片封裝測試及應用三個環節✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。從上游到下游行業⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤,進入門檻逐步降低✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴,其中LED產業鏈上游外延生長技術含量最高☾☽❄☃,資本投入密度最大ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ,是國際競爭最激烈☧☬☸✡♁✙♆。,、':∶;、經營風險最大的領域⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。在LED產業鏈中⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺,外延生長與芯片制造約占行業利潤的70%✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅,LED封裝約占10%~20%✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥,而LED應用大約也占10%~20%ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ。
 產業鏈各環節使用的生產設備從技術到投資同樣遵循上述原則⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯,在我國上游外延片生長和中游芯片制造的60余家企業中❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣,核心設備基本上為國外進口☧☬☸✡♁✙♆。,、':∶;,技術發展受制于人ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ,且技術水平尚無法與國際主流廠商相比❣❦❧♡۵。這就意味著我國高端LED外延片ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、芯片的供應能力遠遠不能滿足需要☧☬☸✡♁✙♆。,、':∶;,需大量進口❣❦❧♡۵,從而大大制約了國內LED產業的發展和盈利能力ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ。

表1 LED產業鏈概況及關鍵設備介紹
產業鏈 產品 關鍵設備 上游 原材料—單晶棒—單晶片—PSS—外延片 單晶片☈⊙☉℃℉❅、圖形化襯底PSS♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、外延片 MOCVD, ICP刻蝕機, 光刻機, PECVD 中游 金屬蒸鍍—光刻—電極制作(熱處理㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦、刻蝕)芯片切割—測試分選 LED芯片 ICP刻蝕機,光刻機,蒸發臺,濺射臺ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ,激光劃片機
 下游 固晶(芯片粘貼)—打線(焊接)—樹脂封裝剪角—應用產品 燈泡⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯、顯示屏♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、背光源等 固晶機⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤、焊線機等
上游外延生長✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴,由于外延膜層決定了最終LED光源的性能與質量⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ,是LED生產流程的核心ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ,用于外延片生長的MOCVD也因其技術難度高⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、工藝復雜成為近年來最受矚目ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ,全球市場壟斷最嚴重的設備❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰。因此❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣,該設備的國產化受到了國內產業界的熱捧❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰,一些企業和研究機構也啟動了MOCVD的研發㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂,但何時能實現產業應用還是個未知數㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂。
此外❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣,伴隨LED外延技術的不斷創新⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓,特別是藍寶石襯底(PPS)加工技術的廣泛應用☈⊙☉℃℉❅,藍寶石襯底刻蝕設備也逐漸成為LED外延片制造技術核心關鍵工藝設備之一⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺,其工藝水平直接影響到成膜性能❣❦❧♡۵,越來越受到產業界的關注☧☬☸✡♁✙♆。,、':∶;。作為國內半導體裝備業的新星☾☽❄☃,北方微電子借助多年從事半導體♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、太陽能高端設備制造的技術優勢⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤,為LED生產領域的刻蝕應用專門開發了ELEDETM330ICP刻蝕設備웃유ღ♋♂,并已成功實現了PSS襯底刻蝕在大生產線上的應用❣❦❧♡۵,這可以稱得上是LED生產設備國產化領域的突破☧☬☸✡♁✙♆。,、':∶;,勢必對LED設備國產化起到推動和帶頭作用ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ。
二❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、中游芯片制造主要設備現狀

中游芯片制造用于根據LED的性能需求進行器件結構和工藝設計ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ。主要設備主要包括刻蝕機✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅、光刻機✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、蒸發臺①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、濺射臺✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、激光劃片機等ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ。
 1.刻蝕工藝及設備   刻蝕工藝在中游芯片制造領域有著廣泛的應用(見表2)❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰,而隨著圖形化襯底工藝被越來越多的LED企業認可ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ,對圖形化襯底的刻蝕需求也使ICP刻蝕機在整個LED產業鏈中的比重大幅度提升ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ。更大產能웃유ღ♋♂、更高性能的ICP刻蝕機成為LED主流企業的需求目標⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾,在產能方面要求刻蝕機的單批處理能力達到每盤20片以上♀☿☼☀☁☂☄,機臺具有更高的利用率和全自動Cassette to Cassette的生產流程♀☿☼☀☁☂☄;由于單批處理數量增大☾☽❄☃,片間和批次間的均勻性控制更加嚴格⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ;此外❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰,更長的維護周期和便捷的人機交互操作界面也是面向大生產線設備必備的條件⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯。而北方微電子所開發的ELEDETM330刻蝕機♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃,集成了多項先進技術⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺,用半導體刻蝕工藝更為精準的設計要求來實現LED領域更高性能的刻蝕工藝ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ,完全滿足大生產線對干法刻蝕工藝的上述要求㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦。
 2.光刻工藝及設備   光刻工藝是指在晶片上涂布光阻溶液⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾,經曝光后在晶片上形成一定圖案的工藝⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓。LED芯片生產中通過光刻來實現在PSS工藝中形成刻蝕所需特定圖案掩模以及在芯片制造中制備電極❣❦❧♡۵。LED光刻工藝主要采用投影式光刻⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、接觸式光刻和納米壓印三種技術⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。接觸式光刻由于價格低✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥,是目前應用主流⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ,但隨著PSS襯底普及⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾,圖形尺寸精細化㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉,投影式光刻逐漸成為主流❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰。納米壓印由于不需光阻❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰,工藝簡單ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ,綜合成本較低✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥,但由于重復性較差☧☬☸✡♁✙♆。,、':∶;,還處于研發階段♀☿☼☀☁☂☄。
 表2 LED上中游刻蝕設備的應用
刻蝕工藝應用 刻蝕工藝分類 說明 上游 圖形化襯底 緩解異質外延生長中氮化物外延層由于晶格失配引起的應力❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣,大大降低氮化物材料中的位錯密度⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺,提高器件的內量子效率㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦。
中游 同側電極刻蝕 對于采用絕緣襯底的LED芯片♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃,兩個電極需要做在器件的同一側✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。因此⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾,這就要采用蝕刻方法暴露出N型層以制作N型電極⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ。 表面微結構 在芯片表面刻蝕大量尺寸為光波長量級的小結構⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ,以此擴展出光面積✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴,改變光在芯片表面處的折射方向⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓,從而使透光效率明顯提高❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣。 表面粗糙化 將那些滿足全反射定律的光改變方向ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ,繼而在另一表面或反射回原表面時不被全反射而透過界面㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉,并能起防反射的功能⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺。 器件隔離 刻蝕GaN⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤,AlGaN⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯,AlGaInP❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰,刻蝕到襯底部分♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃。將整張芯片劃分成LED芯粒ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ。
國內LED生產用接觸式光刻機主要依賴進口㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂,投影式光刻機多為二手半導體光刻機翻新ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ。而鑒于國內光刻設備生產企業的技術基礎和



上一篇: 深圳电竞比赛下注平台高亮度LED封裝工藝技術及方案

下一篇: 雷竞技rayb官网入口新型7種專利

關于極光
聯系电竞比赛下注平台

掃一掃

地址:深圳市龍崗區五聯朱古石愛聯工業區8號3樓  電話:+86-136 0263 1970  傳真:

Copyright © 2003-2022 雷竞技rayb官网入口. All Rights Reserved
投資有風險웃유ღ♋♂,選擇需謹慎

本站關鍵詞: LED燈珠