常遇到的6大問題—LED芯片
：2017-12-26
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正向電壓降低ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、暗光
（1）一種是電極與發光材料為歐姆接觸⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，但接觸電阻大❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰。
（2）一種是電極與材料為非歐姆接觸ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，主要發生在芯片電極制備過程中蒸發第一層電極時的擠壓印或夾印❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，分布位置✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。
另外封裝過程中也可能造成正向壓降低ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，主要原因有銀膠固化不充分❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩定✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅。
正向壓降低的芯片在固定電壓測試時㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦，通過芯片的電流小⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，從而表現暗點ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，還有一種暗光現象是芯片本身發光效率低ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，正向壓降正常①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。
難壓焊
（1）打不粘：主要因為電極表面氧化或有膠
（2）有與發光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯，其中以加厚層脫落為主①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。
（3）打穿電極：通常與芯片材料有關⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，材料脆且強度不高的材料易打穿電極⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，一般GAALAS材料（如高紅❣❦❧♡۵，紅外芯片）較GAP材料易打穿電極ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ。
（4）壓焊調試應從焊接溫度❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰，超聲波功率ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，超聲時間☈⊙☉℃℉❅，壓力ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，金球大小☾☽❄☃，支架定位等進行調整ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ。
發光顏色差異
（1）同一張芯片發光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，ALGAINP四元素材料采用量子結構很薄⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤，生長是很難保證各區域組分一致☾☽❄☃。（組分決定禁帶寬度⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，禁帶寬度決定波長）⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓。
（2）GAP黃綠芯片⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，發光波長不會有很大偏差☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；，但是由于人眼對這個波段顏色敏感ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，很容易查出偏黃ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，偏綠웃유ღ♋♂。由于波長是外延片材料決定的㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦，區域越小✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，出現顏色偏差概念越小⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，故在M／T作業中有鄰近選取法⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。
（3）GAP紅色芯片有的發光顏色是偏橙黃色ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，這是由于其發光機理為間接躍進㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦。受雜質濃度影響♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，電流密度加大時✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴，易產生雜質能級偏移和發光飽和⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤，發光是開始變為橙黃色①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。
閘流體效應
（1）是發光二極管在正常電壓下無法導通ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，當電壓加高到一定程度⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，電流產生突變❣❦❧♡۵。
（2）產生閘流體現象原因是發光材料外延片生長時出現了反向夾層⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，有此現象的LED在IF＝20MA時測試的正向壓降有隱藏性ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，在使用過程是出于兩極電壓不夠大ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，表現為不亮ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，也可以通過小電流IF＝10UA下的正向壓降來發現♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，小電流下的正向壓降明顯偏大㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉，則可能是該問題所致⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺。
反向漏電流IR
在限定條件下反向漏電流為二極管的基本特性㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦，按LED以前的常規規定❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，指反向電壓在5V時的反向漏電流❣❦❧♡۵。隨著發光二極管性能的提高❣❦❧♡۵，反向漏電流會越來越小ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ。IR越小越好☈⊙☉℃℉❅，產生原因為電子的不規則移動ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ。
（1）芯片本身品質問題原因ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，可能晶片本身切割異常所導致ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ。
（2）銀膠點的太多⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，嚴重時會導致短路㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉。外延造成的反向漏電主要由PN結內部結構缺陷所致ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ，芯片制作過程中側面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面♀☿☼☀☁☂☄，嚴禁用有機溶液調配銀膠①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。以防止銀膠通過毛細現象爬到結區㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂。
（3）靜電擊傷♀☿☼☀☁☂☄。外延材料⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，芯片制作✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅，器件封裝♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，測試一般5V下反向漏電流為10UA☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；，也可以固定反向電流下測試反向電壓❣❦❧♡۵。不同類型的LED反向特性相差大：普綠㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉，普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；，而普紅芯片則在十幾二十伏之間♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃。
（4）焊線壓力控制不當⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，造成晶片內崩導致IR升高ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ。
解決方案：
（1）銀膠膠量需控制在晶片高度的1／3——1／2㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉；
（2）人體及機臺靜電量需控制在50V以下ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ；
（3）焊線第一點的壓力應控制在30——45g之間為佳✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅。
死燈現象
（1）LED的漏電流過大造成PN結失效㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦，使LED燈點不亮⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，這種情況一般不會影響其他的LED燈的工作☾☽❄☃。
（2）LED燈的內部連接引線斷開♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，造成LED無電流通過而產生死燈❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，這種情況會影響其他的LED燈的正常工作⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，原因是由于LED燈工作電壓低（紅黃橙LED工作電壓1．8v——2．2vⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，藍綠白LED工作電壓2．8——3．2v）♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，一般都要用串웃유ღ♋♂、并聯來聯接ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，來適應不同的工作電壓ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，串聯的LED燈越多影響越大⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，只要其中有一個LED燈內部連線開路♀☿☼☀☁☂☄，將造成該串聯電路的整串LED燈不亮❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰，可見這種情況比第一種情況要嚴重的多☾☽❄☃。
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