以下由極光光電詳細解讀LED芯片的制造工藝

　　LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅，同時盡可能多地出光⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，其主要在1.33×10⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾？4Pa高真空下ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面☈⊙☉℃℉❅。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、AuZn等合金ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂。鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區盡可能多地露出來ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤。光刻工序結束后還要通過合金化過程♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，合金化通常是在H2或N2的保護下進行웃유ღ♋♂。合金化的時間和溫度通常是根據半導體材料特性與合金爐形式等因素決定㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉。當然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯，需增加鈍化膜生長♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃、等離子刻蝕工藝等☈⊙☉℃℉❅。

　　一般來說⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，LED外延生產完成之后她的主要電性能已定型㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉，芯片制造不對其產甞核本性改變❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，但在鍍膜㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂、合金化過程中不恰當的條件會造成一些電參數的不良✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅。比如說合金化溫度偏低或偏高都會造成歐姆接觸不良❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，歐姆接觸不良是芯片制造中造成正向壓降VF偏高的主要原因㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂。在切割后♀☿☼☀☁☂☄，如果對芯片邊緣進行一些腐蝕工藝⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯，對改善芯片的反向漏電會有較好的幫助㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦。這是因為用金剛石砂輪刀片切割后①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯，芯片邊緣會殘留較多的碎屑粉末✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴，這些如果粘在LED芯片的PN結處就會造成漏電☾☽❄☃，甚至會有擊穿現象⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。另外⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，如果芯片表面光刻膠剝離不干凈✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，將會造成正面焊線難與虛焊等情況☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；。如果是背面也會造成壓降偏高㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂。在芯片生產過程中通過表面粗化❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣、劃成倒梯形結構等辦法可以提高光強✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。

　　LED芯片大小根據功率可分為小功率芯片♀☿☼☀☁☂☄、中功率芯片和大功率芯片ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ。根據客戶要求可分為單管級☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；、數碼級ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ、點陣級以及裝飾照明等類別①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。至于芯片的具體尺寸大小是根據不同芯片生產廠家的實際生產水平而定⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，沒有具體的要求✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴。只要工藝過關⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，芯片小可提高單位產出并降低成本ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，光電性能并不會發生根本變化✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅。芯片的使用電流實際上與流過芯片的電流密度有關⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯，芯片小使用電流小웃유ღ♋♂，芯片大使用電流大♀☿☼☀☁☂☄，它們的單位電流密度基本差不多❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰。如果10mil芯片的使用電流是20mA的話⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，那么40mil芯片理論上使用電流可提高16倍ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，即320mA⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯。但考慮到散熱是大電流下的主要問題⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，所以它的發光效率比小電流低☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；。另一方面ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，由于面積增大ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，芯片的體電阻會降低❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，所以正向導通電壓會有所下降⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。

　　用于白光的LED大功率芯片一般在市場上可以看到的都在40mil左右♀☿☼☀☁☂☄，所謂的大功率芯片的使用功率一般是指電功率在1W以上❣❦❧♡۵。由于量子效率一般小于20%大部分電能會轉換成熱能⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤，所以大功率芯片的散熱很重要⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯，要求芯片有較大的面積ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ。

　　普通的LED紅黃芯片和高亮四元紅黃芯片的基板都采用GaP⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ、GaAs等化合物半導體材料✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，一般都可以做成N型襯底㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦。采用濕法工藝進行光刻ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ，最后用金剛砂輪刀片切割成芯片①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。GaN材料的藍綠芯片是用的藍寶石襯底✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，由于藍寶石襯底是絕緣的✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，所以不能作為LED的一個極⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，必須通過干法刻蝕的工藝在外延面上同時制作P/N兩個電極并且還要通過一些鈍化工藝❣❦❧♡۵。由于藍寶石很硬❣❦❧♡۵，用金剛砂輪刀片很難劃成芯片①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。它的工藝過程一般要比GaP⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、GaAs材料的LED多而復雜⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯。

　　所謂透明電極一是要能夠導電⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，二是要能夠透光⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ。這種材料現在最廣泛應用在液晶生產工藝中㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦，其名稱叫氧化銦錫⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，英文縮寫ITO⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯，但它不能作為焊墊使用㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂。制作時先要在芯片表面做好歐姆電極✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，然后在表面覆蓋一層ITO再在ITO表面鍍一層焊墊♀☿☼☀☁☂☄。這樣從引線上下來的電流通過ITO層均勻分布到各個歐姆接觸電極上⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，同時ITO由于折射率處于空氣與外延材料折射率之間⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，可提高出光角度❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰，光通量也可增加⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ。

　　隨著半導體LED技術的發展⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，其在照明領域的應用也越來越多㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉，特別是白光LED的出現❣❦❧♡۵，更是成為半導體照明的熱點♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃。但是關鍵的芯片ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ、封裝技術還有待提高ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，在芯片方面要朝大功率ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ、高光效和降低熱阻方面發展⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓。提高功率意味著芯片的使用電流加大☧☬☸✡♁✙♆。，、＇：∶；，最直接的辦法是加大芯片尺寸♀☿☼☀☁☂☄，現在普遍出現的大功率芯片都在1mm×1mm左右㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦，使用電流在350mA.由于使用電流的加大㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦，散熱問題成為突出問題✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，現在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰。隨著LED技術的發展⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ，其在照明領域的應用會面臨一個前所未有的機遇和挑戰✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。

　　藍光LED通常采用Al2O3襯底①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯，Al2O3襯底硬度很高①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯、熱導率和電導率低❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，如果采用正裝結構⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，一方面會帶來防靜電問題ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，另一方面㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦，在大電流情況下散熱也會成為最主要的問題㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉。同時由于正面電極朝上⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，會遮掉一部分光❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰，發光效率會降低❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰。大功率藍光LED通過芯片倒裝技術可以比傳統的封裝技術得到更多的有效出光⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓。

　　現在主流的倒裝結構做法是：首先制備出具有適合共晶焊接電極的大尺寸藍光LED芯片⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，同時制備出比藍光LED芯片略大的硅襯底✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，并在上面制作出供共晶焊接的金導電層及引出導線層（超聲金絲球焊點）✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴。然后✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，利用共晶焊接設備將大功率藍光LED芯片與硅襯底焊接在一起⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺。這種結構的特點是外延層直接與硅襯底接觸✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，硅襯底的熱阻又遠遠低于藍寶石襯底ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，所以散熱的問題很好地解決了✵✶✷✸✹✺✻✼❄❅。由于倒裝后藍寶石襯底朝上⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，成為出光面웃유ღ♋♂，藍寶石是透明的⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯，因此出光問題也得到解決㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦。